研究代表者 |
丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013 – 2016
|
| 概要 | 本研究の目的は、希少金属であるインジウムを含むITOやIGZOを完全に代替する高性能カーボンナノチューブ(CNT)薄膜を開発することである。 具体的には、日本側は支持基材上におけるCNTの成長機構解明と成長制御、材料精製や薄膜デバイス集積を担当し、EU側は気相合成法におけるCNTの成長制御とその場観察による成長機構の解明などを行う。 双方の研究チームが相互補完的に取り組むことにより、基礎的な物性理解に基づいてCNT薄膜・デバイスの性能・信頼性を向上させ、従来の平面ディスプレイのみならず、将来の巨大市場に成長が期待されるフレキシブルエレクトロニクスにおいて、長期にわたって導入可能なCNT薄膜の開発につながることが期待される。
|
|---|
| 研究領域 | 希少元素代替材料 |
|---|
