| 体系的番号 |
JPMJPR1426 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1426 |
研究代表者 |
長田 貴弘 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA研究者
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| 研究期間 (年度) |
2014 – 2017
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| 概要 | 本研究は、誘電率40以上のフッ化物高誘電体極薄膜材料(フッ化物High-k)を創出し、MOS構造でSiO2換算等価膜厚0.5nm以下、低リーク素子の実現を目指します。フッ化物High-kは、一種の材料で多様な次世代チャネル材料(Ge、InGaAsなど)と界面反応層が無い直接接合形成の可能性が有り、これまでに無いユニバーサルな高機能High-k材料としてIT機器の消費電力の劇的な低減が期待できます。
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| 研究領域 | 素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成 |
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