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フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR1426
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR1426

研究代表者

長田 貴弘  独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA研究者

研究期間 (年度) 2014 – 2017
概要本研究は、誘電率40以上のフッ化物高誘電体極薄膜材料(フッ化物High-k)を創出し、MOS構造でSiO2換算等価膜厚0.5nm以下、低リーク素子の実現を目指します。フッ化物High-kは、一種の材料で多様な次世代チャネル材料(Ge、InGaAsなど)と界面反応層が無い直接接合形成の可能性が有り、これまでに無いユニバーサルな高機能High-k材料としてIT機器の消費電力の劇的な低減が期待できます。
研究領域素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

報告書

(1件)
  • 2017 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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