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ひずみ誘起ゲージ場を用いた単原子層膜の伝導制御とエレクトロニクス応用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR1424
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR1424

研究代表者

友利 ひかり  筑波大学, 数理物質系, 研究員

研究期間 (年度) 2014 – 2017
概要炭素の単原子膜であるグラフェンには、格子ひずみによって擬似的なベクトルポテンシャルやスカラーポテンシャルが生じるという特殊な性質があります。本研究では、この性質を利用し、格子ひずみの空間分布を制御することによって、高移動度を維持しつつ、グラフェントランジスタの実用化に十分な大きさの伝導ギャップを創出するための基盤技術を開拓します。これにより、単原子膜を用いたナノエレクトロニクスの実現に貢献します。
研究領域素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

報告書

(1件)
  • 2017 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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