次世代MEMSデバイスの高精度・高信頼性を実現する新規低熱膨張Fe-Ni合金めっきプロセスの高度化

研究課題

研究責任者	山本貴代地方独立行政法人京都市産業技術研究所, 京都市産業技術研究所, 研究員
研究期間 (年度)	2014 – 2015
概要	本課題の目標は、我々が開発した新規低熱膨張Fe-Ni合金めっきプロセスを活用したMEMS構造体作製技術の高度化を検討し、寸法熱安定性の優れた次世代MEMSデバイスの作製技術を確立することである。そのために、当該プロセスにおいて、現状めっき液の経年使用時において課題となっているFe(III)イオンの生成、蓄積によるめっき膜の脆化の影響について調査するとともに、Fe(III)イオンのモニタリング技術さらには低減化技術を確立することで、課題解決を図った。検討の結果、当該プロセスにおいてめっき膜が脆化することで、得られためっき構造体がMEMS部材に供することが困難となるFe（III）イオン濃度を見出すことができた。そこで、Fe（III）イオンの濃度管理を簡便かつ高精度で行うことのできるフローインジェクションアンペロメトリーによるFe(III)イオンモニタリング技術を確立した。さらにめっき液中のFe（III）イオンの低減化を図るために鉄粉還元法を適応し、めっき液の経年使用時においても高品位なMEMSデバイスに適した低熱膨張構造体を得ることが可能となった。