高性能低損失ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの開発研究

研究課題

研究責任者	菅原文彦東北学院大学, 工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2014 – 2015
概要	解析シミュレーションによりCr-SBDに比べて，低損失となるの最適デバイス構造を推定し，デバイスシミュレーションによりCr－SBDより高耐圧を確認した。また，パターンを作成し，ドーピング条件をシミュレーションして試作した。しかしながら，試作プロセスの一部を他企業に委託する必要が生じ，１次試作が終了したばかりで，評価と分析が不十分である。試作デバイスの電気的特性をプローブで評価し，順方向の低電流領域でCr-SBDより低損失動作を確認した。しかし，耐圧と電力損失は目標には達していない。今後，構造分析とシミュレーションの合わせこみを十分に行って，試作研究を続行してデバイスを開発したい。