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酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた低消費電力二酸化炭素センサの開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ

研究責任者 岩松 新之輔  山形県工業技術センター, 未登録, 研究員(移行)
研究期間 (年度) 2014 – 2015
概要a-InGaZnO TFTを基本構造として用いた二酸化炭素センサの開発を行った。シリコン宙づり構造体上に、薄膜ヒータ及びTFTを集積したガスセンサプラットフォームを開発し、加熱到達温度350℃、200℃までのTFTスイッチング動作を実現した。二酸化炭素センサとしては、目標とした100mWでの駆動は実現できなかったが、500~5,000ppmの範囲における感受性、約30秒での応答を確認し、間欠駆動によるドリフト抑制手法を考案した。また、共存ガスとなる酸素、窒素に対しては感受性を持たないこと、センサ設置環境の風量変化に依存して出力電流が変動することを明らかにした。今後は、ガスセンサプラットフォームの改善として、外乱ノイズの低減、熱放散を抑制するため、パッケージと組み合わせたモジュール化を進め、他のガス種を対象としたセンサ開発に展開する予定である。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2022-01-06   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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