超高速CPU開発に向けた高品質シリコンゲルマニウム結晶基板製造の研究

研究課題

研究責任者	荒井康智独立行政法人宇宙航空研究開発機構, その他部局等, 研究員
研究期間 (年度)	2014 – 2015
概要	次世代半導体材料として一部実用が始まっているSiGe単結晶について独自の飽和溶融帯移動法（TLZ法）による育成条件を鋭意研究し、デバイス試作が可能なΦ30mm×L7mmサイズにて当初目標を大幅に越える高品質単結晶の作製に成功した。具体的には、X線ロッキングカーブ半値幅が当初目標100arcsec以内を越える21arcsecのモザイクフリーで、組成変動1%以内且つボロン不純物濃度を目標より2桁低い1014/cm3まで高純度化した高品質のSiGe単結晶が得られた。今後実用化に向け、現在進めているデバイスの試作検討とともに、更なる単結晶の大口径化と高品質化を目指し研究開発を進めていく。