新原理による超高速電力用半導体ウェーハ品質評価技術の研究
| 研究責任者 |
金田 寛 九州工業大学, 大学院工学研究院, 特任教授
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| 研究期間 (年度) |
2014 – 2015
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| 概要 | 我々が実証した新原理を用いて，全く新しいシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術の実用化を目指す．本技術では，定常赤外レーザ励起によってウェーハ内部に発生させた自由キャリアの濃度分布をもう一つの赤外レーザビームの屈折を通して計測する．本研究開発では，この技術開発の中で最も重要となる次の5個の目標を設定した．(1) 画像素子で検出されるレーザビーム屈折を観測量として明確に定義し，数値化する．(2) キャリア寿命のデータ１個を一秒以内の装置動作で取得可能にする．（3）屈折角分解能として1.3×10－５ラジアンを実現する．（4）フォトルミネッセンス強度分布観測機能を付加する．これらの目標は，研究実施期間終了までにほぼ完全にクリアされた．（5）知的財産権確保の目標については，元特許の外国出願によって達成された．実用化に向けた次の技術移転ステージに進むための目標を抽出し，明確化できた．
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