プラスティック上で実現する単結晶シリコンCMOS技術

研究課題

研究責任者	東清一郎広島大学, 先端物質科学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2014 – 2015
概要	水のメニスカス力を利用した低温転写技術により、プラスティック（PET）基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する研究を実施した。PET基板と転写シリコン薄膜が高い密着性を示すのは界面にSi-O-C結合が形成されるためであることを実験的に明らかにした。SOI層転写に重要な中空構造の形成に関して、ウエットエッチング条件の精密制御とイオン注入を利用したBOX層のテーパー柱形成技術の考案により歩留まり向上を達成し、PET基板上でnチャネルおよびpチャネル高性能トランジスタの動作に成功した。転写したトランジスタを用いてデジタル回路を作製する基本プロセス技術を構築し、インバータの動作に成功した。