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プラスティック上で実現する単結晶シリコンCMOS技術

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ

研究責任者 東 清一郎  広島大学, 先端物質科学研究科, 教授
研究期間 (年度) 2014 – 2015
概要水のメニスカス力を利用した低温転写技術により、プラスティック(PET)基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する研究を実施した。PET基板と転写シリコン薄膜が高い密着性を示すのは界面にSi-O-C結合が形成されるためであることを実験的に明らかにした。SOI層転写に重要な中空構造の形成に関して、ウエットエッチング条件の精密制御とイオン注入を利用したBOX層のテーパー柱形成技術の考案により歩留まり向上を達成し、PET基板上でnチャネルおよびpチャネル高性能トランジスタの動作に成功した。転写したトランジスタを用いてデジタル回路を作製する基本プロセス技術を構築し、インバータの動作に成功した。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2022-01-06   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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