二次元窒化物半導体を用いたエピタキシャル積層構造の創出と光電子機能デバイス応用

研究課題

体系的番号	JPMJPR1522
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR1522
研究代表者	太田実雄東京大学, 生産技術研究所, 助教
研究期間 (年度)	2015 – 2017
概要	ワイドギャップ二次元半導体である六方晶窒化ボロン(hBN)薄膜を用いたエピタキシャル積層構造を作製し、hBNの光学的・電気的・構造的性質を利用した新構造のナノエレクトロニクス材料を創出します。この目的を実現するためにhBN薄膜を低温で結晶成長する技術の開発を行うとともに、ウェハースケールで異種機能性材料と積層融合し、高効率発光素子や低損失デバイスといった次世代低消費電力デバイスへと展開します。
研究領域	素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

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