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二次元窒化物半導体を用いたエピタキシャル積層構造の創出と光電子機能デバイス応用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR1522
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR1522

研究代表者

太田 実雄  東京大学, 生産技術研究所, 助教

研究期間 (年度) 2015 – 2017
概要ワイドギャップ二次元半導体である六方晶窒化ボロン(hBN)薄膜を用いたエピタキシャル積層構造を作製し、hBNの光学的・電気的・構造的性質を利用した新構造のナノエレクトロニクス材料を創出します。この目的を実現するためにhBN薄膜を低温で結晶成長する技術の開発を行うとともに、ウェハースケールで異種機能性材料と積層融合し、高効率発光素子や低損失デバイスといった次世代低消費電力デバイスへと展開します。
研究領域素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

報告書

(1件)
  • 2017 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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