トランジスタ型超高感度イオンセンサーの開発とセシウムイオン検出への応用
| 体系的番号 |
JPMJSC1604 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJSC1604 |
研究代表者 |
若山 裕 国立研究開発法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他研究員
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| 研究期間 (年度) |
2016 – 2019
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| 概要 | 本研究はイオン認識機能をトランジスタ素子に取り入れることにより、セシウムイオンを高感度で検出するイオンセンサーを開発することを目的とする。このためイオン認識部と絶縁層、有機半導体層といった構成要素を最適化する「物質科学」と、これら各材料をトランジスタ素子に組み立てる「デバイス工学」の両輪をもって取り組んでいく。具体的にはフランス側がイオン認識機能と脂質分子の設計と合成を行い、日本側が有機半導体の分子設計と薄膜成長および素子構造の最適化を行う。さらに双方でイオン検出機能を評価して、その知見をそれぞれ分子構造とデバイス構造にフィードバックする。このように両国チームによる共同研究では、材料合成からデバイス作製までをシームレスで分担・連係しながら開発を進められる体制とした。さらに提案するセンサーはプラスチック基板上に作製できることや、他の重金属イオンや生体物質などへも容易に展開できることを特徴としている。そのためさまざまな被検物質を対象にした汎用性センサーへ展開できる。
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| 研究領域 | 分子技術 |
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