遷移金属酸化物歪界面を利用したフォノンドラッグ熱電能の制御

研究課題

体系的番号	JPMJPR16R1
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR16R1
研究代表者	片瀬貴義北海道大学, 電子科学研究所, 助教
研究期間 (年度)	2016 – 2019
概要	電子と格子の相互作用から生まれるポーラロンの低次元化に着目し、遷移金属酸化物のヘテロ界面格子歪・人工超格子を使って、フォノンドラッグ熱電能を室温で引き出す手法の開発にチャレンジします。これにより、熱電変換性能を室温で10倍増強させた高性能熱電変換材料を実現し、薄膜デバイス化によりセンサー駆動用の電源応用を目指します。
研究領域	微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出

報告書

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