トポロジカル絶縁体ヘテロ接合による量子技術の基盤創成

研究課題

体系的番号	JPMJCR16F1
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR16F1
研究代表者	川﨑雅司東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	2016 – 2021
概要	トポロジカル絶縁体ヘテロ接合により、電荷流とスピン流の高効率変換やゼロ磁場における量子ホール効果などを実現し、半導体では実現不可能な量子物性のデバイス機能化を行います。強誘電性や超伝導など類似化合物群に現れる多様な物性とトポロジカル物性の界面接合化により、量子化した電気磁気効果や新しい量子統計を実現します。これらにより、トポロジカル絶縁体を電子素子として活用する基盤を構築します。
研究領域	二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出

報告書

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