原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出

研究課題

体系的番号	JPMJCR16F3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR16F3
研究代表者	宮田耕充首都大学東京, 大学院理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2016 – 2021
概要	本研究では、異なる原子層物質が「面内で接合した原子層ヘテロ構造」に着目し、接合部に生じる「一次元界面」を利用した超低消費電力・三次元集積デバイスの実現に向けた学理と技術を構築します。特に、遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を中心に、成長位置・結晶方位が完全制御されたヘテロ構造の集積プロセスの確立、界面電子状態の解明と制御、そしてトンネル電界効果トランジスタ等の光・電子デバイスの実証を目指します。
研究領域	二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出

報告書

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