深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究

研究課題

体系的番号	JPMJCR16N2
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR16N2
研究代表者	岩谷素顕名城大学, 理工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2016 – 2021
概要	半導体レーザは、ガスレーザや固体レーザに比べ小型・高効率・低消費電力などの特長を有していることから、光科学分野の発展に極めて重要なデバイスです。一方、深紫外領域の光は医療・環境分野・殺菌・化学分析や3Dプリンター等の工業的な応用が期待できますが、半導体レーザでは未踏領域となっていました。本研究課題では、超高濃度不純物添加半導体や分極半導体としての窒化物半導体に関しての理解を深め、この未踏領域である深紫外半導体レーザの実現を目指します。
研究領域	新たな光機能や光物性の発現・利活用を基軸とする次世代フォトニクスの基盤技術

報告書

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