二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用

研究課題

体系的番号	JPMJCR16F4
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR16F4
研究代表者	若林整東京工業大学, 工学院, 教授
研究期間 (年度)	2016 – 2021
概要	二次元原子層状構造をもつ遷移金属ダイカルコゲナイドのうち、硫化半導体をチャネルとする相補型MISトランジスタについて、清浄度・制御性が高い先端LSIプロセス(スパッタやMOCVD法)により高性能化し、プロセス物性とデバイス動作理論を体系化します。高速・低電力性に加えて透明・柔軟性を活かして、人との親和性を高めた高性能ディスプレイや人体パッチ等の応用を探索します。
研究領域	二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出

報告書

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