高周波化を実現するGaNパワーモジュール実装技術開発
| 体系的番号 |
JPMJAL1610 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJAL1610 |
研究代表者 |
菅沼 克昭 大阪大学, 産業科学研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2016 – 2018
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| 概要 | GaNパワー半導体により、電力変換ロスの大幅低減と、高周波化による機器小型化が期待されていますが、エネルギー密度の著しい上昇に耐える耐熱実装技術が実用化のボトルネックです。銀焼結接合技術により、GaNの能力を最大限に生かす最適化実装を開発します。熱応力緩和、高周波化ノイズ低減、ナノレベル評価により、モジュールの高信頼性を獲得します。GaNの特性が生きたパワー・モジュールの早期普及を狙います。
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| 研究領域 | 革新的省・創エネルギーシステム・デバイス |
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