薄膜技術を駆使したトポロジカル半金属の非散逸伝導機能の開拓
| 体系的番号 |
JPMJPR18L2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR18L2 |
研究代表者 |
打田 正輝 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教
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| 研究期間 (年度) |
2018 – 2021
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| 概要 | 本研究では、トポロジカルディラック半金属Cd3As2を主な対象として、高品質薄膜・接合の作製とその量子輸送現象の解明を目指します。具体的には、(1)アーク端伝導状態の解明と制御、(2)磁気近接効果による量子化伝導の実証、(3)元素置換と膜厚制御によるトポロジカル相開拓、(4)ヘテロ構造を利用した高機能化、の4項目の研究を進め、トポロジカル半金属材料が潜在的にもつ新しい量子化伝導機能を開拓していきます。
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| 研究領域 | トポロジカル材料科学と革新的機能創出 |
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