| 体系的番号 |
JPMJCR1874 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR1874 |
研究代表者 |
永長 直人 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
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| 研究期間 (年度) |
2018 – 2023
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| 概要 | “磁性体中でスピンと結合する電子系が、スピンが作る角度に対応した実効的ベクトルポテンシャル(創発電磁場と呼ぶ)を感じる”、という物理原理に基づき、非共線スピン構造を用いて創発電磁場を、100-1000テスラの強さで、ナノメーター・ナノ秒スケールで操作し、電子の量子位相と運動を制御する。(A)ナノスピン構造を有する物質開発、(B)創発電磁現象の開拓、(C)デバイス開発へ向けた創発電磁機能の開拓、の3つのテーマを推進する。
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| 研究領域 | 量子状態の高度な制御に基づく革新的量子技術基盤の創出 |
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