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電子構造のトポロジーを利用した機能性磁性材料の開発とデバイス創成
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
CREST
体系的番号
JPMJCR18T3
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJCR18T3
研究代表者
中辻 知
東京大学, 物性研究所, 教授
研究期間 (年度)
2018 – 2023
概要
次世代メモリーやセンサーの開発を牽引するスピントロニクスにおいて、主構成要素を現行の強磁性体から機能性反強磁性体に置き換え、その電子構造のトポロジーを利用することで、強磁性に起因する様々な問題を一挙に解決するデバイスの創製を行います。特に、巨大な電気磁気応答を示すワイル磁性体の開発と、そのナノサイズの磁気ドメインの電気的制御手法の研究を通じ、トポロジカル反強磁性スピントロニクスの技術を構築します。
研究領域
トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出