高温超伝導体を用いた超低損失ダイオードの開発

研究課題

体系的番号	JPMJTM19CH
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJTM19CH
研究代表者	土屋雄司名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2019 – 2020 (予定)
概要	本課題の目的は、半導体では実現不可能な大電流容量を有する、高温超伝導体を用いた超低損失ダイオードの開発である。そのため本課題では、ダイオードの電流容量の増強手法、量産性の高い作製手法について検証する。