アイセーフ波長用高効率Si受光センサの開発

研究課題

体系的番号	JPMJTM19B7
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJTM19B7
研究代表者	八井崇東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2019 – 2020 (予定)
概要	近接場光が有する非一様光場の特長に着目し、波数励起の効果によるSiの高効率励起、二次高調波発生による長波長励起によってアイセーフ波長帯（1400nm以上）での高受光感度を実証する。