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機械学習判定によるSiCウェハ・デバイス信頼性高速評価装置開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 機能検証フェーズ 試験研究タイプ

体系的番号 JPMJTM19CP
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJTM19CP

研究代表者

加藤 正史  名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授

研究期間 (年度) 2019 – 2020 (予定)
概要パワー半導体デバイス用の材料SiCには、ウェハ内に欠陥が存在する。特に基底面転位という欠陥は、長期信頼性を有するデバイスの製造を困難にする。本課題では、SiCウェハの基底面転位を検出し、デバイス信頼性を高速で判定する装置を開発する。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2020-03-11   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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