機械学習判定によるSiCウェハ・デバイス信頼性高速評価装置開発
| 体系的番号 |
JPMJTM19CP |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM19CP |
研究代表者 |
加藤 正史 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2019 – 2020 (予定)
|
| 概要 | パワー半導体デバイス用の材料SiCには、ウェハ内に欠陥が存在する。特に基底面転位という欠陥は、長期信頼性を有するデバイスの製造を困難にする。本課題では、SiCウェハの基底面転位を検出し、デバイス信頼性を高速で判定する装置を開発する。
|
|---|
