次世代3次元積層を見据えた極薄絶縁膜の新たな常温接合技術の確立
| 体系的番号 |
JPMJTM19DN |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM19DN |
研究代表者 |
多喜川 良 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2019 – 2020 (予定)
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| 概要 | 本研究では、次世代の半導体3次元積層を見据えた酸化アルミ薄膜同士の常温接合の検証と接合達成条件の策定を行い、絶縁性材料を接合中間層とした新規常温接合プロセス技術の確立により常温接合技術の適用分野拡大を狙う。
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