HfO2強誘電体を用いた機能性トランジスタの開発

研究課題

体系的番号	JPMJKB1903
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJKB1903
研究代表者	浅沼周太郎産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
研究期間 (年度)	2020 – 2022
概要	HfO2強誘電体薄膜の新機能開拓とそのトランジスタ集積技術を共同で研究開発し、AIシステムに不可欠な機能性トランジスタの基盤技術を構築することを目的とする。その成果はAIチップの製造を加速し、スマートで知的な社会生活の実現に貢献する。
研究領域	AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術

報告書

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