| 体系的番号 |
JPMJTR20R2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR20R2 |
| 研究責任者 |
三好 実人 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2022
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| 概要 | 本提案は、第6世代移動体通信やミリ波レーダなど次世代の無線通信分野に広く展開可能な高周波デバイス「窒化ガリウム系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（GaN系HBT）」の開発に関するものである。応募者はこれまで、独自の材料技術「高品質の格子整合Al(Ga)InN/GaNヘテロ構造」をGaN系HBTの構造基盤としたうえで、その構成要素ごとにn型／p型導電性を付与するという手法で開発を進めてきた。本研究では、これをさらに推し進め、実用レベルのHBT開発に向けた技術課題「p型半導体層とその電極コンタクトの抵抗低減」を解決すべく、分極効果を利用した新しいp型ドーピング法の技術構築を軸に研究開発を遂行する。
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