| 体系的番号 |
JPMJTM20E3 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM20E3 |
研究代表者 |
村野 耕平 長野県工業技術総合センター, 材料技術部門, 技師
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2021
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| 概要 | SiCは一般的に用いられている樹脂用熱伝導性粒子と比較して高い熱伝導率を有するが、半導体であるため絶縁性が低く、熱伝導性粒子として使用されることが無かった。そのため、SiCの絶縁性を改善することが出来れば優れた熱伝導性粒子として活用することが出来る。現状、SiC粒子を絶縁性、熱伝導性に優れたBN粒子で被覆した複合粒子とすることでSiCの絶縁性を改善する技術を開発したが、実用化のためには更なる絶縁性向上が課題となっている。そこで、SiC粒子と同等以上の熱伝導性と十分な絶縁性(複合粒子を充填した樹脂複合材料の体積抵抗率が1015Ω・cm以上)を備えたSiCベースの複合粒子を開発する。
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