| 体系的番号 |
JPMJTM20CS |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM20CS |
研究代表者 |
道信 剛志 東京工業大学, 物質理工学院, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2021
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| 概要 | 高い正孔移動度を有するp型半導体高分子は種々市販されているのに対し、溶媒可溶なn型（電子輸送性）半導体高分子はN2200以外に有望なものがない。N2200は0.1 ㎠ V-1 s-1以上の電子移動度を有するが、その薄膜電子デバイスは大気下での安定性に問題がある。本研究では、-4.0eV以下の深い最低空軌道（LUMO）準位を有し、大気下でトランジスタや太陽電池等の薄膜電子デバイスに用いることができるn型半導体高分子を開発する。主鎖骨格の高い平面性と優れた結晶性を実現し、N2200以上の電子移動度を達成する。それによってn型半導体高分子の標準物質としての地位を確立し、その商品化を目指す。
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