| 体系的番号 |
JPMJTM20BS |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM20BS |
研究代表者 |
間瀬 一彦 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2021
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| 概要 | 真空中で加熱すると蒸発せずに反応性の高い表面が生成し（活性化）、残留ガスを排気する材料を非蒸発型ゲッター（NEG）と呼ぶ。活性化後のNEGは電源無しでH2O、H2、CO、CO2、O2などの残留ガスを排気するため、加速器、電子顕微鏡などで広く使われている。しかし従来のNEGには、活性化温度が200℃程度以上、製造コストが高いという欠点がある。我々は10–8 Pa台の超高真空下で無酸素Tiを成膜し、高純度N2を導入して活性なTi表面を保護すると、185℃で活性化して残留ガスを排気することを見出した。そこで本技術を発展させ、100℃以下で活性化し残留ガスを排気する新しいNEGポンプを開発する。
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