強誘電体分極と電荷の相互作用を利用した新デバイス・システム

研究課題

体系的番号	JPMJCR20C3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR20C3
研究代表者	高木信一東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	2020 – 2024
概要	Hf系強誘電体を用いたデバイスを、その分極・ドメイン構造を物性評価に裏打ちされた作製プロセスや膜構造上の工夫によるドメインエンジニアリングを通じて、新しい応用を含めた種々の回路システムに向けて最適化し、優れた電気的特性と信頼性をもつFeFET, MFMキャパシタ, FTJといった強誘電体デバイスを実現すると共に、Hf系強誘電体材料・デバイス特性制御技術の学理を確立します。
研究領域	情報担体を活用した集積デバイス・システム