| 体系的番号 |
JPMJTR20R9 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR20R9 |
| 研究責任者 |
王 学論 産業技術総合研究所, 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ, ラボチーム長
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2022
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| 概要 | サイズ数μmの微小な半導体LEDを高密度に配列させたマイクロLEDディスプレイは、次世代の情報媒体として期待されているVR/ARのための省電力・高精細・高輝度ディスプレイの最有力候補である。その実現のためには、高密度に配列しても隣接する画素間の光の混ざり合いが生じない革新的マイクロLED技術およびGaN赤色LEDの高効率化技術が必要不可欠である。本研究では、独自原理に基づく指向性マイクロLEDの活性層に、独自の無損傷加工技術により作製したInGaN/GaNナノ構造を用いることで、4000 ppiを超える超高密度に配列可能な指向性マイクロLEDを赤・緑・青の３原色波長帯において実現する。
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