半導体ダイヤモンドウェハの革新的製造技術の開発

研究課題

体系的番号	JPMJTR20RA
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJTR20RA
研究責任者	徳田規夫金沢大学, ナノマテリアル研究所, 教授
研究期間 (年度)	2020 – 2022
概要	ダイヤモンドは、高い熱伝導率、移動度、絶縁破壊電界等の優れた物性を持つことから、ポスト5G通信や次世代自動車を支える超低損失パワーデバイスへの応用が期待されている。また、ダイヤモンド中の窒素-空孔中心は優れた電子スピン特性を持つことから、室温動作可能な量子デバイス/センサ応用も期待されている。しかし、ダイヤモンドウェハの製造コストは他の半導体材料に比べて極めて高く、かつ量産化可能な技術も確立していない。そこで、本研究ではダイヤモンドの①インゴット製造、②スライス加工、③平坦化に関する基盤技術を確立し、低コストかつ量産化を実現する半導体ダイヤモンドウェハの革新的製造技術の開発を目的とする。