| 体系的番号 |
JPMJTR202E |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR202E |
| 企業責任者 |
CKD株式会社
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| 研究責任者 |
早瀬 修二 電気通信大学, ｉ－パワードエネルギーシステム研究センター, 特任教授
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2024
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| 概要 | ペロブスカイト(PVK)太陽電池は層内に鉛イオンを３０％以上含み、実用化時の大きな懸念点となっている。一方、鉛を含まない”GeイオンをドープしたSn系PVK太陽電池”を電通大が特許提案しており、これをシーズに高効率化が進んでいる。一般的にSn系PVKは塗布時の結晶化が非常に早いためスピンコート法で小セルが作製されているのみであり、大面積化には新塗布プロセスの構築が必須である。本提案では、上記問題点を解決するため、結晶化速度を遅くするインク化技術と新塗布装置の開発を同期させ、錫PVK層の大面積塗布プロセスを開発する。将来、軽量フレキシブルであり効率３０％を目指した立体太陽電池の実現に結び付ける。
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