次世代パワー半導体デバイス実現に資する高信頼性焼結型接合技術の開発
| 体系的番号 |
JPMJTR20RC |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR20RC |
| 研究責任者 |
西川 宏 大阪大学, 接合科学研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2022
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| 概要 | 低炭素社会を実現するためには、エネルギー機器の電力変換に用いるパワーデバイスを中心にしたパワーエレクトロニクス技術の革新が必要不可欠とされおり、次世代パワー半導体デバイスには、SiC素子の適用が進んでいるが、一方で、SiCの特性を十分に引き出せる耐熱性、放熱性、高温安定性に優れたパッケージ構造や構成材料が未だに確立されていない。そこで、本研究では、SiC素子下の接合部に注目し、微細な突起を有するマイクロサイズのAg粒子を利用した有害物質を含まない代替接合材料の確立と、耐熱性と放熱性、さらには高温安定性にも優れた接合部を形成するための接合技術の構築を課題とする。
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