| 体系的番号 |
JPMJTR20RH |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR20RH |
| 研究責任者 |
福山 博之 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2022
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| 概要 | 本研究開発は、『新たな指導原理に基づく窒化アルミニウム（AlN）単結晶の液相成長法』を技術シーズとして、GaN系デバイスの結晶成長に関わる課題の根本解決となるAlN単結晶基板の低コスト作製法の開発を目指すものである。AlN基板の市場は、深紫外光による滅菌、殺菌力を用いた水浄化関連製品である。安全な飲料水の確保は人類共通の悲願であり、小型省電力の深紫外光源は昨今の新型コロナウイルスなど将来の新たな感染症対策としても大きな役割を担う。また、深紫外光源以外にもAlN単結晶はGaN HEMTに比べて更に高周波、高耐圧特性に有利なAlGaN HEMT素子の基板として有利であり、成長の見込める市場である。
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