| 体系的番号 |
JPMJTR20RT |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR20RT |
| 研究責任者 |
山村 和也 大阪大学, 大学院工学研究科物理学系専攻精密工学コース, 教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2020 – 2022
|
| 概要 | 低損失パワーデバイス用材料であるSiC等のワイドギャップ半導体基板の研磨には、一般にアルカリ性の薬液と遊離砥粒を含むスラリーを用いたCMPが用いられるが、加工能率が低く、また、環境負荷が大きなスラリーの購入とその廃棄処理コストが大きいため、パワーデバイスの価格が高騰して普及を妨げる要因となっている。本開発では、スラリーを用いずに導電性難加工材料の表面を超音波振動誘起の歪場形成により高能率に陽極酸化させて軟質化し、軟質層のみを母材よりも低硬度な固定砥粒を作用させて除去することでダメージフリーな表面を高能率に得る革新的な超音波援用電気化学機械研磨プロセスを開発し、CMPを代替することを目指す。
|
|---|
