| 体系的番号 |
JPMJTT20B2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTT20B2 |
研究代表者 |
太子 敏則 国立大学法人信州大学, 学術研究院（工学系）, 准教授
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| 企業責任者 |
渡辺 信也 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー, 製造部, 部長
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| 研究期間 (年度) |
2020 – (非公開)
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| 概要 | 本開発は、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）６インチ基板の量産に関するものである。 Ｇａ２Ｏ３は、ＳｉＣやＧａＮと比較してバンドギャップが広く、絶縁破壊電界が高いため、小型・高効率なハイパワーデバイスを実現できるとして注目されている。その量産化には基板の大口径化が強く求められているが、従来の結晶成長法（Ｅｄｇｅ－ｄｅｆｉｎｅｄ， Ｆｉｌｍ－ｆｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ法）では、成長させる結晶よりも相当大きなるつぼが必要で、大口径化は高コストとなる課題があった。
本開発では、信州大学 干川 圭吾 名誉教授と代表研究者らの成果である垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）を用いて、６インチのＧａ２Ｏ３単結晶基板を作製するための量産技術を確立する。ＶＢ法は、るつぼの中で融液を凝固・結晶化させることで、るつぼの内径での結晶成長が可能であり、コストを抑えた大口径化が可能と期待される。
６インチのＧａ２Ｏ３基板供給により、半導体デバイスメーカーによるＧａ２Ｏ３パワーデバイスの事業化を加速させ、省エネルギー技術の普及促進へ大きく貢献することが期待される。
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