| 体系的番号 |
JPMJFR203H |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJFR203H |
研究代表者 |
塩見 雄毅 東京大学, 大学院総合文化研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2021 – 2027 (予定)
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| 概要 | 物質中の電子スピンを利用したスピントロニクス技術と相変化メモリで用いられる技術・材料を組み合わせることで、これまでにないスピントロニクス技術の創出を目指します。相変化材料薄膜の結晶相とアモルファス相の間の相変化を利用して、電流よりも低消費電力であるスピン流の高速スイッチや、次世代メモリへの応用が期待される磁気スキルミオンの生成・伝搬、さらには新しい複合メモリとして相変化磁気メモリを実現します。
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| 研究領域 | 北川パネル |
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