| 体系的番号 |
JPMJFR202N |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJFR202N |
研究代表者 |
打田 正輝 東京工業大学, 理学院物理学系, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2022 – 2028 (予定)
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| 概要 | 化合物半導体に象徴されるように薄膜作製技術の向上は常に新しい量子輸送の物理を開拓してきました。本研究では、これまで結晶性・純度がそれぞれ課題となってきたヒ化物・酸化物の分子線エピタキシー成長技術を極限まで追求することで、トポロジカル・強相関物質の高品質なエピタキシャル薄膜とヘテロ構造の作製について強固な技術基盤を構築し、将来のエレクトロニクスの可能性を切り拓く革新的量子輸送機能の創出を目指します。
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| 研究領域 | 川村パネル |
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