あらゆる半導体デバイスに適用できるオペランド観測技術の確立

研究課題

体系的番号	JPMJFR203P
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJFR203P
研究代表者	福本恵紀高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 特任准教授
研究期間 (年度)	2021 – 2027 (予定)
概要	昨今のエネルギー問題を解消すべく，クリーンエネルギー創出や省エネ化のための半導体材料やデバイスが次々と開発されています．これらの性能は，電荷キャリアである電子と正孔(電子が抜けた穴)の動きにより左右されます．本研究では，半導体デバイスが動作している状態下での電荷キャリアの動きを空間，時間，および，エネルギー的に評価する新規手法を開拓し，素子開発のスピードアップ，また，性能向上を目指します．
研究領域	北川パネル

報告書

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