超高濃度ドーピング技術で拓くダイヤモンドパワーエレクトロニクス

研究課題

体系的番号	JPMJFR203U
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJFR203U
研究代表者	松本翼金沢大学, ナノマテリアル研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2021 – 2027 (予定)
概要	究極のパワーデバイス材料と期待されるダイヤモンドを用いたパワーエレクトロニクスを学問だけではなく、産業としても創成し、革新的な省エネルギー技術を世界に発信することで、温室効果ガス排出量の大幅削減、持続的発展可能なエネルギーの超高効率社会を実現することを目的としています。最重要課題である低抵抗なn型ダイヤモンド半導体を実現し、誰しも効率的かつ安全に電力を使用できる破壊的イノベーションを起こします。
研究領域	北川パネル

報告書

(5件)

主な研究成果
(4件)

すべて 2024

すべて雑誌論文 (4件) (国際共著 4件、査読あり 4件、オープンアクセス 4件)

[雑誌論文] Fabrication and characterization of diamond (100) p<sup>+</sup>-i-n<sup>+</sup> diodes with heavily nitrogen-doped films2024
- 著者名
  Yuki Matsushima, Mikiya Mura, Tsubasa Matsumoto, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Satoshi Yamasaki, Takao Inokuma, Taro Yoshikawa, Toshiharu Makino, Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 145
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
[雑誌論文] Fabrication of lateral diamond MOSFET with buried pn-junctions by diamond surface planarization based on carbon solid solution into nickel2024
- 著者名
  Tsubasa Kano, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Taro Yoshikawa, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda, Tsubasa Matsumoto
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 147
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
[雑誌論文] Formation of low-dimensional nanopit structures on atomically flat surfaces of diamond (111) by nickel nanoparticles2024
- 著者名
  Kan Hayashi, Kazuki Kobayashi, Madoka Katayama, Yuhi Kaneko, Kimiyoshi Ichikawa, Taro Yoshikawa, Tsubasa Matsumoto, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 669
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
[雑誌論文] Fabrication of inversion channel diamond MOSFET with atomically step-free Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/diamond interface2024
- 著者名
  Kazuki Kobayashi, Kai Sato, Hiromitsu Kato, Masahiko Ogura, Toshiharu Makino, Tsubasa Matsumoto, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 235
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著

超高濃度ドーピング技術で拓くダイヤモンドパワーエレクトロニクス

研究代表者

松本 翼 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 准教授

報告書

主な研究成果

[雑誌論文] Fabrication and characterization of diamond (100) p<sup>+</sup>-i-n<sup>+</sup> diodes with heavily nitrogen-doped films2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Fabrication of lateral diamond MOSFET with buried pn-junctions by diamond surface planarization based on carbon solid solution into nickel2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Formation of low-dimensional nanopit structures on atomically flat surfaces of diamond (111) by nickel nanoparticles2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Fabrication of inversion channel diamond MOSFET with atomically step-free Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/diamond interface2024

著者名

雑誌名

松本翼金沢大学, ナノマテリアル研究所, 准教授