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新しい偏極中性子散乱による次世代デバイスの微視的理解

研究課題

戦略的な研究開発の推進 創発的研究支援事業

体系的番号 JPMJFR202V
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJFR202V

研究代表者

南部 雄亮  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 東北大学ディスティングイッシュトリサーチャー

研究期間 (年度) 2021 – 2027 (予定)
概要中性子散乱は物質科学における強力な微視的測定手段です。研究提案者が新たに考案した中性子スピンを含めて解析する偏極中性子散乱手法により、次世代デバイスであるスピントロニクスと超伝導を対象とした研究を展開します。次世代デバイスの研究では電圧測定等、これまで巨視的な知見が蓄積されていますが、実用化には微視的な情報が不可欠です。新散乱手法を用いて微視的機構の解明とそれによる物質設計指針の獲得に繋げます。
研究領域川村パネル

報告書

(3件)
  • 2023 年次報告書 ( PDF )
  • 2022 年次報告書 ( PDF )
  • 2021 年次報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2021-07-12   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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