新材料設計指針により対破壊電流密度に挑む

研究課題

体系的番号	JPMJFR202G
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJFR202G
研究代表者	三浦正志成蹊大学, 理工学部, 教授
研究期間 (年度)	2021 – 2027 (予定)
概要	超伝導技術は、SDGsやSociety5.0社会への貢献が期待されています。しかし、超伝導の応用上重要な臨界電流密度は、量子化磁束の運動の影響を受け理論限界である対破壊電流密度の5～10%程度です。本研究では、臨界電流密度の理論モデル、磁束ピン止め点導入技術、磁束の熱擾乱抑制技術、キャリア・ひずみ制御技術を融合し、新しい材料設計指針により臨界電流密度を対破壊電流密度に近づけることを目指します。
研究領域	井村パネル

報告書

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