1. 前のページに戻る

極限環境省エネルギーパワーエレクトロニクスの創成

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 産学共同(育成型)

体系的番号 JPMJTR21R3
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJTR21R3
研究責任者 渡部 平司  国立大学法人大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度) 2021
概要パワーエレクトロニクスは電気エネルギーの高効率利用に不可欠であり、with/postコロナにおける省エネ社会構築に大きなインパクトを有する。シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスの実用化が始まったが、現行のMOS型電界効果トランジスタの性能は、絶縁膜/SiC界面欠陥の影響で材料物性から期待される性能に遥かに及ばない。本提案では、申請者が有する技術シーズ(絶縁膜界面特性改善技術、新規絶縁膜堆積技術、界面物性評価技術)を駆使してSiC MOS界面の高品質化を図り、極限環境下で動作可能なCMOS(相補型MOS)インバータ回路を試作し、極限環境エレクトロニクスの創成に取り組む。

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2021-07-12   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst