| 体系的番号 |
JPMJTM20Q7 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTM20Q7 |
研究代表者 |
梁 剣波 大阪市立大学, 大学院工学研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2021
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| 概要 | コロナ禍による消費電力の増加で、省エネに期待できるGaNパワー素子の需要が高まっている中、SiC基板上に形成したGaN素子では、自己発熱による出力の低下と信頼性の劣化が大きな課題である。本研究開発において、これまでの予備検討に基づき、GaN層転写技術（Si基板からGaN/SiC構造を剥離し、SiC面をダイヤモンドと直接接合する技術）を開発し、最高放熱性GaNパワー素子と素子作製に必要な高耐熱性接合界面を実現する。熱伝導性に優れるSiCを介してGaNとダイヤモンドを接合することにより、競合技術を凌ぐ高放熱性GaN／ダイヤモンド基板作製技術を確立し、基板と素子メーカーとの共同研究につながる。
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