狭ギャップⅣ族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス

研究課題

体系的番号	JPMJCR21C2
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C2
研究代表者	中塚理名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2021 – 2026
概要	赤外多帯域素子応用に向けて、狭バンドギャップ（< 0.2 eV）かつ高効率光電変換を実現する直接遷移IV族混晶半導体ヘテロ構造を創製し、準安定な混晶材料の特性を損じない欠陥制御および低サーマルバジェットプロセスの学理・技術を構築します。さらに、狭ギャップIV族混晶ダイオードなど受発光素子のSi LSIプラットフォーム上集積や赤外多帯域撮像素子の試作・動作実証に取り組みます。
研究領域	情報担体を活用した集積デバイス・システム

主な研究成果
(7件)

すべて 2024

すべて雑誌論文 (7件) (査読あり 7件、オープンアクセス 7件)

[雑誌論文] Genetic-algorithm-combined density functional theory calculations for investigating atomic properties of Si? Ge alloys2024
- 著者名
  Hibiki Bekku, Yusuke Noda, and Koji Sueoka
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 182 ページ: 108727
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Defect behavior during growth of heavily phosphorus doped Czochralski silicon crystals (II): Theoretical study2024
- 著者名
  Koji Sueoka, Yasuhito Narushima, Kazuhisa Torigoe, Naoya Nonaka, Koutaro Koga, Toshiaki Ono, Hiroshi Horie, and Masataka Hourai
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 136 ページ: 055705
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer2024
- 著者名
  S. Shibayama, S. Mori, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 114, 215 (10 pages) (2024).
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Epitaxial growth of Ge1?xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge-Sn ordered bonding structure formation2024
- 著者名
  S. Shibayama, K. Shibata, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 17 ページ: 115503
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Emergence of Negative Differential Resistance Through Hole Resonant Tunneling in GeSn/GeSiSn Double Barrier Structure2024
- 著者名
  S. Shibayama, S. Ishimoto, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
- 雑誌名
  
  IEEE J. Electron Dev. Soc.
  
  巻: 13 ページ: 79-85
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique2024
- 著者名
  Tatsuro Maeda , Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang1, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama , Masashi Kurosawa , and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 64
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Al2O3 growth on Ge by low-temperature (~90 oC) atomic layer deposition and its application for MOS devices2024
- 著者名
  T. Aso, H. Kuwazuru, D. Wang, K. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 190
- 査読あり / オープンアクセス

狭ギャップⅣ族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス

研究代表者

中塚 理 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授

主な研究成果

[雑誌論文] Genetic-algorithm-combined density functional theory calculations for investigating atomic properties of Si? Ge alloys2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Defect behavior during growth of heavily phosphorus doped Czochralski silicon crystals (II): Theoretical study2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Epitaxial growth of Ge1?xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge-Sn ordered bonding structure formation2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Emergence of Negative Differential Resistance Through Hole Resonant Tunneling in GeSn/GeSiSn Double Barrier Structure2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Al2O3 growth on Ge by low-temperature (~90 oC) atomic layer deposition and its application for MOS devices2024

著者名

雑誌名

中塚理名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授