狭ギャップⅣ族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス
| 体系的番号 |
JPMJCR21C2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C2 |
研究代表者 |
中塚 理 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2021 – 2026
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| 概要 | 赤外多帯域素子応用に向けて、狭バンドギャップ（< 0.2 eV）かつ高効率光電変換を実現する直接遷移IV族混晶半導体ヘテロ構造を創製し、準安定な混晶材料の特性を損じない欠陥制御および低サーマルバジェットプロセスの学理・技術を構築します。さらに、狭ギャップIV族混晶ダイオードなど受発光素子のSi LSIプラットフォーム上集積や赤外多帯域撮像素子の試作・動作実証に取り組みます。
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| 研究領域 | 情報担体を活用した集積デバイス・システム |
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