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3次元磁気メモリの開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR21C1
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C1

研究代表者

小野 輝男  京都大学, 化学研究所, 教授

研究期間 (年度) 2021 – 2026
概要記録層/磁壁層で構成される人工強磁性体からなる3次元磁気メモリを開発する。本提案の3次元磁気メモリでは、3次元構造・磁性体の不揮発性と高速ダイナミクス・多値メモリシフトレジスタの特徴から、揮発性メモリDRAM同様の高速性と不揮発性メモリ3D-NANDのような高密度・低コストが実現される。
研究領域情報担体を活用した集積デバイス・システム

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2022-05-09   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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