3次元磁気メモリの開発

研究課題

体系的番号	JPMJCR21C1
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR21C1
研究代表者	小野輝男京都大学, 化学研究所, 教授
研究期間 (年度)	2021 – 2026
概要	記録層/磁壁層で構成される人工強磁性体からなる3次元磁気メモリを開発する。本提案の3次元磁気メモリでは、3次元構造・磁性体の不揮発性と高速ダイナミクス・多値メモリシフトレジスタの特徴から、揮発性メモリDRAM同様の高速性と不揮発性メモリ3D-NANDのような高密度・低コストが実現される。
研究領域	情報担体を活用した集積デバイス・システム