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局所磁性変調による磁壁移動メモリの革新的情報制御技術の開拓

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR21B5
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR21B5

研究代表者

小山 知弘  大阪大学, 産業科学研究所, 准教授

研究期間 (年度) 2021 – 2024
概要本研究では磁性細線中の磁気特性を局所的に変調させる技術を用いて、磁壁移動型メモリデバイスの情報担体である磁区およびその境界に形成される磁壁のダイナミクスを高度に制御します。具体的には、1. 高密度かつ超省エネルギーな磁区書き込み、2. 電界誘起カイラル磁気構造を利用した磁壁インバータ伝送の実証を目指します。情報の高密度化と消費電力の低減を可能にする原理的に新しい情報書き込み・操作手法の創出に貢献します。
研究領域情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2022-05-09   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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