| 体系的番号 |
JPMJPR21B6 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR21B6 |
研究代表者 |
柴山 茂久 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2021 – 2024
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| 概要 | 本研究では、これまでに正孔の共鳴現象を観測した実績のあるGeSiSn/GeSnヘテロ接合のデバイス化を始点として、（1）安定動作が可能なデバイス構造設計指針の、実験と理論の両面からの解明（2）RTDデバイス動作の信頼性向上に向けたGe(Si)Sn結晶欠陥・絶縁膜/Ge(Si)Sn界面欠陥制御の要素技術開発を行い、GeSiSn/GeSnヘテロ接合RTDデバイスの室温動作実証を行う。
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| 研究領域 | 情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム |
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