非平衡系Ⅳ族混晶半導体ヘテロ接合によるテラヘルツ帯デバイスの創出

研究課題

体系的番号	JPMJPR21B6
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR21B6
研究代表者	柴山茂久名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2021 – 2024
概要	本研究では、これまでに正孔の共鳴現象を観測した実績のあるGeSiSn/GeSnヘテロ接合のデバイス化を始点として、（1）安定動作が可能なデバイス構造設計指針の、実験と理論の両面からの解明（2）RTDデバイス動作の信頼性向上に向けたGe(Si)Sn結晶欠陥・絶縁膜/Ge(Si)Sn界面欠陥制御の要素技術開発を行い、GeSiSn/GeSnヘテロ接合RTDデバイスの室温動作実証を行う。
研究領域	情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム

主な研究成果
(6件)

すべて 2024

すべて雑誌論文 (6件) (国際共著 2件、査読あり 6件、オープンアクセス 1件)

[雑誌論文] Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films2024
- 著者名
  Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Semicond. Proc.
  
  巻: 176 号: 15 ページ: 108304
- 査読あり / 国際共著
[雑誌論文] Ge1?xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 °C and in-situ Sb doping2024
- 著者名
  Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Semicond. Proc.
  
  巻: 176 号: 15 ページ: 108302
- 査読あり
[雑誌論文] Tensile-strained Ge1?xSnx layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction2024
- 著者名
  Tatsuma Hiraide, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 4
- 査読あり
[雑誌論文] Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer2024
- 著者名
  Shigehisa Shibayama, Shunsuke Mori, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 114 号: 2 ページ: 215-224
- 査読あり
[雑誌論文] Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure2024
- 著者名
  Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of Electron Device Society
  
  巻: 13 ページ: 79-85
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique2024
- 著者名
  Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 64
- 査読あり / 国際共著

非平衡系Ⅳ族混晶半導体ヘテロ接合によるテラヘルツ帯デバイスの創出

研究代表者

柴山 茂久 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教

主な研究成果

[雑誌論文] Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Ge1?xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 °C and in-situ Sb doping2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Tensile-strained Ge1?xSnx layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique2024

著者名

雑誌名

柴山茂久名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教