超伝導マルチフェロイクスによる超省電力メモリの創製

研究課題

体系的番号	JPMJFR212V
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJFR212V
研究代表者	小森祥央名古屋大学, 理学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2022 – 2028 (予定)
概要	超伝導マルチフェロイクスという新しい分野の開拓により、超省電力磁気メモリの作製を試みます。具体的には、超伝導体/強磁性体界面の電子間相互作用を強誘電体を用いて電圧制御することで、超伝導の凝縮エネルギーを発熱ゼロの電荷輸送だけでなく、スピン角運動量の輸送および強磁性体の磁化制御にも活用し、発熱を伴う電流・磁場の印加が不要な超伝導のポテンシャルを最大限に生かした超伝導磁気メモリを作製します。
研究領域	川村パネル

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